CXMT запустила масове виробництво нової платформи памʼяті з 24-гігабітними LPDDR5X-чипами
Китайський виробник памʼяті CXMT повідомив про вихід у масове виробництво своєї пʼятої поколінної DRAM-платформи. Одночасно компанія представила нові 24-гігабітні чипи LPDDR5X, орієнтовані насамперед на смартфони, планшети та іншу портативну електроніку.
Ключова ідея нової платформи — збільшити щільність зберігання даних без пропорційного росту площі кристала. Для цього CXMT застосувала складніші методи формування дрібніших елементів памʼяті.
Більше бітів на тій самій кремнієвій площі
За даними компанії, у новій технологічній платформі мінімальний крок елементів памʼяті зменшили приблизно до 11,95 нанометра. Це дозволяє розмістити більше осередків DRAM на одному кристалі й підвищити вихід корисних чипів із кремнієвої пластини.
Виробник заявляє, що кількість кристалів на пластину зросла щонайменше на 50 відсотків порівняно з попереднім поколінням. Для масового виробництва це особливо важливо, оскільки собівартість памʼяті дуже сильно залежить від того, скільки придатних кристалів можна отримати з однієї пластини.
Нові 24-гігабітні LPDDR5X-чипи мають приблизно на 50 відсотків більшу місткість, ніж попередні 16-гігабітні варіанти. Це дозволяє виробникам мобільних пристроїв збільшувати обсяг оперативної памʼяті без значного ускладнення компонування плати.
Енергоефективність стає не менш важливою за швидкість
LPDDR-памʼять створюють із розрахунком на низьке енергоспоживання, адже в портативних пристроях кожен ват напряму впливає на автономність і тепловиділення. Тому нова платформа має значення не лише через щільність, а й через можливість знизити витрати енергії на зберігання та обмін даними.
Для сучасних смартфонів і ноутбуків це особливо актуально через швидке зростання локальних AI-функцій. Великі мовні та мультимодальні моделі потребують значного обсягу швидкої памʼяті навіть тоді, коли працюють без підключення до хмари.
CXMT також демонструє, що китайська напівпровідникова галузь продовжує просуватися в напрямі складніших техпроцесів попри обмежений доступ до частини західного обладнання. У новій платформі використовується багаторазове патернування, яке дозволяє формувати дрібні структури без найновіших EUV-сканерів.
Для ринку це означає появу ще одного постачальника щільної мобільної памʼяті. Конкуренція в сегменті DRAM традиційно висока, тому зростання виробничих можливостей може впливати і на ціни, і на швидкість появи більших конфігурацій памʼяті в масових пристроях.
